VS-30WQ10FNTR-M3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30WQ10FNTR-M3
| Artikelnummer: | VS-30WQ10FNTR-M3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30WQ10FNTR-M3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-30WQ10FNTR-M3.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 810 mV @ 3 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252AA) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 mA @ 100 V Strom - Richt (Io) 3.5A Kapazität @ Vr, F 92pF @ 5V, 1MHz Grundproduktnummer 30WQ10 VS-30WQ10FNTR-M3 Einzelheiten PDF [English] VS-30WQ10FNTR-M3 PDF - EN.pdf -
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